|
|
Код товара: STR0082
Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2Данные обновлены: 16/08/2015 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Заказы на Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2 принимаются только на электронную почту или через наш сайт. При заказе электронным письмом указывайте код товара: STR0082 и его количества. |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Прибор для оценки качества электронных компонентов.
|
Параметр / Модель прибора | Китайский клон "LCR-T4" (2.07) | "Транзистор Тестер" (7.15R и 7.16R) | "Транзистор Тестер - М" (7.17R) | "Транзистор Тестер - М2" (7.18R) |
Транзисторы | биполярные, полевые, 2 параметра | биполярные, полевые, до 6 параметров | биполярные, полевые, до 6 параметров | биполярные, полевые, до 6 параметров |
Конденсаторы: Измерение емкости. |
40 пФ ... 100000 мкФ * | 40 пФ ... 100000 мкФ * | 1 пФ ... 100000 мкФ | 1 пФ ... 100000 мкФ |
Конденсаторы: Измерение ESR. |
автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ |
Конденсаторы: Измерение потерь (Vloss). |
автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ | автоматически, от 0,1 мкФ |
Резисторы | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм |
Резисторы переменные (3 выв) | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм | 0 Ом ... 50 МОм |
Индуктивности | 10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) ** |
10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) ** |
10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) ** |
10 мкГн ... 20 Гн (при R<2,1 кОм) ** |
Диоды | +++ | +++ | +++ | +++ |
Диодные сборки | +++ | +++ | +++ | +++ |
Светодиоды | +++ | +++ | +++ | +++ |
Тиристоры | +++ | +++ | +++ | +++ |
Симисторы | +++ | +++ | +++ | +++ |
Светодиоды | +++ | +++ | +++ | +++ |
Генератор частот: |
--- | --- | Меандр, 21
фиксированная частота: 1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33-n МГц; 2 МГц. *** |
Меандр, 21
фиксированная частота: 1 Гц; 10 Гц; 50 Гц; 100 Гц; 250 Гц; 439 Гц; 441 Гц; 443 Гц; 1 кГц; 2,5 кГц; 5 кГц; 10 кГц; 25 кГц; 50 кГц; 100 кГц; 153,8462 кГц; 250 кГц; 500 кГц; 1 МГц; 1,33-n МГц; 2 МГц. *** |
Генератор PWM (ШИМ) | --- | --- | Меандр, частота 7,812
кГц; заполнение от 0% до 100% ШИМ **** |
Меандр, частота 7,812
кГц; заполнение от 0% до 100% ШИМ **** |
Русификация | --- | +++ | +++ | +++ |
Регулировка контраста ЖКИ | ? | --- | +++ | +++ |
Питание схемы прибора | Стабилизатор 78L05 | Стабилизатор 78L05 | Стабилизатор 78L05 | LDO AMS1117-5,0v |
Питание ЖКИ | С
нарушением спецификации, повышенным напряжением. |
Безопасное. | Безопасное. | Выделенный LDO 3,3v |
Крепление стекла ЖКИ | Липким слоем. | + Дополнительная фиксация. | + Дополнительная фиксация. | + Дополнительная фиксация. |
Защита ЖКИ при транспортировке. | ? | + Защитная пленка. | + Защитная пленка. | + Защитная пленка. |
Сервисный Центр в России. | ? | г. Москва | г. Москва | г. Москва |
Примечания:
* Измерение конденсаторов менее 40 пФ возможно, при включении параллельно с дополнительным эталонным конденсатором 100 пФ.
** Измерение индуктивностей менее 10 мкГн возможно, при включении последовательно с дополнительной эталонной индуктивностью 100 мкГн.
*** Меандр, скважность =2, на тестовом выводе "2". Подключать через конденсатор не более 680 пФ.
**** Меандр, частота 7,812 кГц, на тестовом выводе "2". Избегайте перегрузки этого контакта по току, более 20 мА.
Список и значение параметров, измеряемых прибором "Транзистор Тестером - М2" (7.18R):
NPN*Транзистор: | hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току
коллектора. Ie - ток эмиттера, при котором производилось измерение. Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
PNP*Транзистор: | hFE - коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Отношение тока базы к току
коллектора. Iс - ток коллектора, при котором производилось измерение. Ube - прямое напряжение перехода База-Эмиттер. Напряжение открывания транзистора. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
N-JFET - полевой транзистор с неизолированным затвором. |
Id - ток истока в mA(миллиАмперах)
@(при) Vg - напряжении затвора в V(в Вольтах). Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
P-JFET - полевой транзистор с неизолированным затвором. |
Id - ток истока в mA(миллиАмперах) @(при) Vg -
напряжении затвора в V(в Вольтах). Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
N-E-MOS - N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором. |
Vt - напряжение открывания перехода. Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады) RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
P-E-MOS - P-канальный полевой транзистор с изолированным затвором. |
Vt - напряжение открывания перехода. Cg - ёмкость затвора, pF(пикоФарады), nF(наноФарады) RDS - прямое сопротивление открытого канала D(Drain/Сток) - S(Source/Исток), выражается в Омах или долях Ома. Uf - при наличии защитного диода - напряжение диодного перехода в прямом направлении. |
Резисторы: | Сопротивление в Омах, КилоОмах или МегаОмах. |
Конденсаторы: | Ёмкость конденсатора в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах), uF(микроФарадах) ESR - Эквивалентное Последовательное Сопротивление (ЭПС) конденсатора в Омах, или долях Ома. Vloss - специфический параметр, отображающий процент падения напряжения на обкладках конденсатора, после снятия импульса разяда. Позволяет быстро оценить качество диэлектрика (утечку тока). |
Катушки индуктивности: | При измерении катушек индуктивности, два параметра в одну строку. Первый параметр: сопротивление постоянному току, значение в Омах. Второй параметр: индуктивность в mH (миллиГенри). |
Диоды: | Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении. С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах). Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах). |
Светодиоды: | Uf - напряжение диодного перехода в прямом направлении. С - ёмкость диодного перехода в pF(пикоФарадах), nF(наноФарадах). Ir - обратный ток утечки диодного перехода, в nA(наноАмперах), uA(микроАмперах), mA(миллиАмперах). |
Меню расширенных функций для "Транзистор Тестер - М" (7.17R) и "Транзистор Тестер - М2" (7.18R):
1. Освободите панельку "Транзистор Тестер - М2" от деталей.
2. Нажмите кнопку, и дождитесь сообщения: "Отсутствует или поврежденная деталь?".
3. Нажмите и удерживайте кнопку до появления расширенного меню на дисплее.
На экране, помимо меню, в нижней строке, имеются подсказки.
Короткое нажатие на кнопку - перебор функций по кольцу.
Удержание нажатой кнопки - выбор функции.
Для запуска генератора частот - выберите эту функцию (указатель">" указывает на выбираемую функцию).
Для запуска генератора частот, нажмите и удерживайте кнопку.
После запуска генератора частот, на экран будет выведено меню выбора частот.
Генерируемая частота (меандр), снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется снимать генерируемый меандр через конденсатор, номиналом не более 680 пФ.
Короткое нажатие на кнопку - выбор следующей частоты из списка.
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.
Для запуска генератора ШИМ, выберите пункт "10-bit PWM (ШИМ)"
Генерируемая ШИМ, снимается со 2-го контакта панельки прибора.
Рекомендуется подключать через резистор не менее 510 Ом, дабы не перегрузить выводы микроконтроллера прибора.
Стартовое значение ШИМ с заполнением 10%.
Короткое нажатие на кнопку : + 1%
Долгое нажатие на кнопку : + 10%
Удержание нажатой кнопки - выход в меню выбора функций.
Помимо этих функций, вам также доступен некоторый набор функций, таких, как регулировка контраста дисплея, калибровка прибора (не требуется, прибор откалиброван изготовителем), ручной запуск измерений конденсаторов, сопротивлений и индуктивностей.
Транзистор Тестер - М2. Стартовый экран. Версия: 7.18R |
|
Транзистор: КТ315А n-p-n, биполярный, СССР, 1977 г. |
|
Транзистор: КТ361В p-n-p, биполярный, СССР, 1991 г. |
|
Транзистор: BC546B n-p-n, биполярный |
|
Транзистор: BD139 n-p-n, биполярный |
|
Транзистор: 2Т602Б n-p-n, биполярный СССР, 1989 г. |
|
Транзистор: D13007M n-p-n, биполярный |
|
Транзистор: КТ372А p-n-p, биполярный |
|
Транзистор: 1Т910АД p-n-p, биполярный, германиевый, СССР, 1978 г. |
|
Транзистор: 1Т403Г p-n-p, биполярный, германиевый, СССР, 1978 г. |
|
Транзистор: BS250 p-канальный MOSFET, с защитным диодом. |
|
Транзистор: 2N7000 n-канальный MOSFET, с защитным диодом. |
|
Транзистор: КП501А n-канальный MOSFET, с защитным диодом. |
|
Транзистор: КП103Е p-канальный JFET, СССР, 1974 г. |
|
Транзистор: КП303В n-канальный JFET, СССР. |
|
Диодная сборка: SBL2045CT 2 диода "Шоттки", с низким прямым напряжением, общий катод. |
|
Диодная сборка: F20C20CT 2 быстровосст., выпрямительных диода, 20А, общий катод. |
|
Симистор: MAC97A6 |
|
Диод: 1N4148 кремниевый |
|
Диод: 1N4007 кремниевый. |
|
Диод: 1N5819 кремниевый, "Шоттки". |
|
Диод: Д9И германиевый, СССР. |
|
Резистор: 43 Ом. |
|
Резистор: 1 кОм. |
|
Резистор: 220 кОм. |
|
Резистор: 1 кОм. подстроечный, многооборотный, тип: 3296. |
|
Дроссель: 320 мкГн. (0,32 мГн). |
|
Дроссель: 150 мкГн. (0,15 мГн) |
|
Конденсатор: 180 пФ, многослойный, керамика: NPO. |
|
Конденсатор: 0,1 мкФ, (100 нФ), маркировка 104, однослойный, дисковый, керамика: Y5V. |
|
Конденсатор: 0,1 мкФ, (100 нФ), маркировка 104, размер 0805, многослойный, керамика: Y5V. |
|
Конденсатор электролитический (оксидный): 47,0 мкФ x 35v |
|
Конденсатор электролитический (оксидный): 100,0 мкФ x 25v |
|
Конденсатор электролитический (оксидный): 3300,0 мкФ x 6,3v LOW ESR. |
|
Светодиод ф 5,0 мм: зеленый. |
------------------
ЫЕК0082
Цена: 2400.00 руб. за 1 шт. |
Свой заказ на Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2 Вы можете также оформить и по телефону: +7 495 543 47 96. При заказе называйте код товара: STR0082 |
Вы можете купить Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2 как за наличный расчёт, так и по безналичному расчёту ( т.н. безналу, перечислению).
Для этого Вам надо либо оформить заказ на нашем сайте, указав в примечании реквизиты, либо прислать письмо
с точным указанием кода STR0082 на Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2, желаемого количества и реквизитов Вашей организации.
Счета по безналичному расчёту выписываются от суммы 1000 рублей. Доставка может производиться различными по Вашему выбору способами. Это и самовывоз, и курьерские службы по г. Москве, и транспортные компании по России. Также мы можем выслать этот товар Почтой России. Если размеры, вес товара Модуль RI020. Прибор для качественной оценки радиокомпонентов Транзистор тестер - М2 или соображения удароустойчивости находятся в разрешённых Почтой России пределах. |